不良解决负责人
1、改善了PECVD Process Chamber Clean Recipe , 有效的提升了 设备良率(DGS DCS显著降低0.6%)并减少了Tact Time(2min/lot),从而提升了产能
2、 改善了Multi工序中长期存在的bubble不良,改善后不良发生率大幅下降,约为5%
3、 解决了设备Clean后第一张Glass Particle高发的情况,particle发生率降低5.6%
4、 改善了本科室相关ESD不良的发生率,改善后发生率≤8.3%
5、 解决了Multi工序中长期存在的树枝状不良
6、改善提升了本工序Uniform , 使Dep膜层更均匀,可以维持在2%-5%