★厦门天马微电子有限公司 研发/新技术开发 2013.07-至今 TFT元器件开发与特性改善项目 担当
（1）优化工艺改善TFT器件特性包括降低漏流，改善SS和阈值电压均一性等。主要成果包括：改善Hump效应；GI膜厚减薄验证；Poly膜厚减薄；BTS信赖性改善；阈值电压漂移改善；TP改善；漏流降低等；
（2）LSM/CHD Less项目及SA-LDD导入验证 担当 2013.07-2014.09
• LSM/CHD Less减少光罩，节省成本。通过降低漏流及增大存储电容等Cover LSM Less，通过工艺条件变更拉开阈值电压，Cover CHD Less
• SA-LDD搭配PMOS将光罩减至8道，SA-LDD需要解决刻蚀稳定性的问题。
（3）高PPI 4K2K产品 担当 2014.12-至今
• 高PPI产品 5.2 4K2K和10.4 8K4K产品在SID成功参展。
主要职责包括：高PPI设计和工艺的风险点的探讨、工艺Issue解析以及产品光学、电学、RA等验证的完成。
（4）TED（Incell触控）技术
•参与TED技术Array工艺条件及Issue的解决。