亮点多发失效解析FA助理工程师
背景:随着全面屏等新机种的不断投入,亮点不良持续飘高,良率压力大,需要找出异常真因,给良率团队提供改善方向
结论:通过大量实验分析,锁定失效真因共有3个不同类型,金属膜层残留,膜层异物/Gate漏流/Vth左shift
类型1.正常黑画面可见(source/Gate均加信号),其他画面不可见,数量1~3颗,亮点位置不固定,laser定位后,拆片去液晶使用OM观察TFT侧,可看到金属膜层残留,膜层异物等;
失效机理:金属膜层,膜层异物等导致data线源漏short,source不经过沟道直接将信号传输给drain极,形成亮点
类型2.正常黑画面,上电黑画面均可见(只给gate加信号打开mos管,不给source加信号),其他画面不可见,数量3到10颗,位置固定位于panel长边边缘,VGL由-8.5V调到-5V亮点变淡,laser定位后,拆片去液晶使用OM观察TFT侧,去PI前后均看不到异常,使用TEG测试亮点pixel mos管特性,发现NG区域管子关闭时漏流比ok区域偏大2到3个数量级,后经过FIB发现GI膜层出现空洞导致M1与poly微short,导致漏流,目前锁定空洞由ESD导致
失效机理:GI空洞导致M1和poly微short,mos管子关闭时,Ioff比正常偏大2~3个数量级,漏流source信号关闭时,仍有gate给像素电容充电,形成亮点
类型3.正常黑画面可见,其他画面不可见,数量2~3颗,亮点位置不固定,VGL由-8.5V调到0V,亮点变明显
laser定位后,拆片去掉液晶使用OM观察TFT侧,看不到异常,使用TEG测试亮点pixel mos管特性,发现管子vth阈值电压为-3V,比规格值左shift 4V(规格阈值电压1.5V±1)
失效机理:mos管vth左shift导致管子提前打开充电,和关闭时管子关不紧漏流形成亮点