OLED屏逆向分析：对三星以及BOE产品进行拆解对ARRAY线路CD、膜厚、走线布局与自身产品解析对比，寻找差异突破良率瓶颈。

新产品不良解析：新品出现的线缺、点缺、mura不良品进行拆解，并结合FIB/SEM/EDX/manual probe TEG进一步分析缺陷发生的膜层/成分/电性等异常，并反馈给责任单位改善。

对电性亮点（VTH阈值电压不稳定）、暗点（蒸镀材料短路、漏Aging）、Mura影像类不良（煺火ANN工艺优化），线缺类（Aging过量），frit封装失效黑屏等不良有充分的解析经验，

RA fail不良品解析：RA后D亮线类不良，区分发生站点ARRAY\绑定，COF Bonding类异常（IC绑定在FPC上）或是panel产品膜层异常，根据所属类别进一步细化解析，反馈给责任单位改善。

大客户项目: 585iPhone X 苹果V项目不良解析，
蒸镀材料短路暗点专项改善，RA后新增亮点改善，贴合牛顿环改善，Frit封装Peeling改善，COF bonding 类不良改善。